Invention Grant
- Patent Title: 红外传感器
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Application No.: CN201310341549.2Application Date: 2013-08-07
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Publication No.: CN103575388BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 新渡户祐二 , 斋藤正博 , 藤原茂美 , 下彰利
- Applicant: 株式会社东金
- Applicant Address: 日本宫城县
- Assignee: 株式会社东金
- Current Assignee: 株式会社东金
- Current Assignee Address: 日本宫城县
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 王静
- Priority: 2012-175806 2012.08.08 JP
- Main IPC: G01J1/42
- IPC: G01J1/42

Abstract:
一种红外传感器包括电路板、至少两个支撑部、FET元件和热电元件。该电路板具有形成有多个电极的上主表面。每个支撑部具有上表面、下表面、形成在上表面上的上导电图案、以及形成在下表面上的下导电图案。上导电图案与下导电图案电连接。下导电图案连接至电路板的上主表面的电极。FET元件位于所述至少两个支撑部之间并布置在电路板的上主表面上。热电元件与支撑部的上导电图案电连接。热电元件由支撑部支撑以便位于FET元件的上方。
Public/Granted literature
- CN103575388A 红外传感器 Public/Granted day:2014-02-12
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