Invention Grant
- Patent Title: 拉曼散射光增强设备、拉曼散射光增强设备的制造方法、和使用拉曼散射光增强设备的拉曼激光光源
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Application No.: CN201380005075.2Application Date: 2013-03-08
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Publication No.: CN104040419BPublication Date: 2016-05-18
- Inventor: 高桥和 , 乾善贵 , 浅野卓 , 野田进 , 千原贤大
- Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Applicant Address: 日本埼玉县
- Assignee: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Current Assignee: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Current Assignee Address: 日本埼玉县
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李逸雪
- Priority: 2012-185638 2012.08.24 JP
- International Application: PCT/JP2013/056523 2013.03.08
- International Announcement: WO2014/030370 JA 2014.02.27
- Date entered country: 2014-07-09
- Main IPC: G02F1/365
- IPC: G02F1/365
Abstract:
本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中，相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
Public/Granted literature
- CN104040419A 拉曼散射光增强设备、拉曼散射光增强设备的制造方法、和使用拉曼散射光增强设备的拉曼激光光源 Public/Granted day:2014-09-10
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