Invention Grant
- Patent Title: 用于监测非晶硅薄膜的结晶的方法和系统
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Application No.: CN201310495927.2Application Date: 2013-10-21
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Publication No.: CN104134616BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 麦单洽克·伊万 , 苏炳洙 , 李东炫 , 李源必
- Applicant: 三星显示有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道龙仁市
- Assignee: 三星显示有限公司
- Current Assignee: 三星显示有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道龙仁市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 王占杰; 金光军
- Priority: 10-2013-0049603 2013.05.02 KR
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L21/336
Abstract:
公开了用于监测非晶硅（a‑Si）薄膜的结晶的方法和系统以及通过利用所述系统和方法来制造薄膜晶体管（TFT）的方法。监测a‑Si薄膜的结晶的方法包括：将来自光源的光照射到待监测a‑Si薄膜上，以使待监测a‑Si薄膜退火；使待监测a‑Si薄膜退火并同时地在设定的时间间隔测量由待监测a‑Si薄膜散射的光的拉曼散射光谱；以及基于拉曼散射光谱来计算待监测a‑Si薄膜的结晶特征值。
Public/Granted literature
- CN104134616A 用于监测非晶硅薄膜的结晶的方法和系统 Public/Granted day:2014-11-05
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IPC分类:
