Invention Publication
- Patent Title: 闪存低速读模式控制电路
- Patent Title (English): Flash memory and low speed read mode control circuit
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Application No.: CN201410206549.6Application Date: 2014-05-16
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Publication No.: CN104517645APublication Date: 2015-04-15
- Inventor: 杨光军 , 冯楚华
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 丁纪铁
- Main IPC: G11C16/06
- IPC: G11C16/06 ; G11C16/26

Abstract:
本发明公开了一种闪存低速读模式控制电路,包括:电荷泵,由串联两个电阻和一个第一开关组成的第一分压电路,由两个电容串联形成的第二分压电路。第一开关用于对低速读模式的数据读取模式和电荷泵漏电模式进行切换,在数据读取模式中,两个电阻形成的第一分压通过比较器、与非门和缓冲器反馈到电荷泵的输入端,使得电荷泵的输出电压的稳定值和第一分压成比例。在电荷泵漏电模式,第二分压电路监测电荷泵的输出电压,当输出电压低于低阈值电压时,形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵开启,当输出电压高于低阈值电压时,形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵停止工作。本发明能大大降低整个低速读模式的平均电流,降低读取过程的功耗。
Public/Granted literature
- CN104517645B 闪存低速读模式控制电路 Public/Granted day:2019-08-13
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