Invention Grant
- Patent Title: 半导体设备
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Application No.: CN201510090082.8Application Date: 2015-02-27
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Publication No.: CN104881338BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 武由纪子 , 和泉伸也 , 市口哲一郎
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 王茂华; 张宁
- Priority: 2014-038799 2014.02.28 JP
- Main IPC: G06F11/22
- IPC: G06F11/22

Abstract:
在具有嵌入其中的非易失性存储器模块的半导体设备中,提供了一种促进非易失性存储器特性评估的技术。MCU包括CPU,闪存,以及控制了对闪存的写入或擦除操作的FPCC。FPCC执行了用于对闪存执行读取或其它操作的程序,由此根据由CPU发出的命令而对闪存执行写入或其它操作。在MCU中,配置FCU以执行测试固件以评估闪存。此外,RAM均可以由CPU和FCU使用。
Public/Granted literature
- CN104881338A 半导体设备 Public/Granted day:2015-09-02
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