Invention Publication
- Patent Title: 使用DC偏压的高功率RF场效应晶体管切换
- Patent Title (English): High power RF field effect transistor switching using DC biases
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Application No.: CN201380061808.4Application Date: 2013-11-19
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Publication No.: CN104904089APublication Date: 2015-09-09
- Inventor: 科迪·B·惠尔兰德 , 琳达·S·艾里什 , 威廉·H·冯诺瓦克 , 加布里埃尔·伊萨克·梅奥
- Applicant: 高通股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 宋献涛
- Priority: 61/732,232 2012.11.30 US; 13/835,285 2013.03.15 US
- International Application: PCT/US2013/070784 2013.11.19
- International Announcement: WO2014/085140 EN 2014.06.05
- Date entered country: 2015-05-27
- Main IPC: H02J7/02
- IPC: H02J7/02 ; H02J5/00

Abstract:
本发明提供用于在无线功率传送电路中进行调谐的系统、方法及设备。本发明的一个方面提供一种用于调谐的设备。所述设备包含具有栅极、源极及漏极的场效应晶体管,其中所述场效应晶体管经配置以将调谐元件电啮合到AC功率路径。在一些实施例中,源极或漏极接点中的一者处于交流电电压。
Public/Granted literature
- CN104904089B 用于在无线功率传送系统中提供调谐的方法和设备 Public/Granted day:2017-10-17
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