Invention Grant
- Patent Title: 相移掩膜的制造方法及相移掩膜
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Application No.: CN201480005621.7Application Date: 2014-04-17
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Publication No.: CN104937490BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 望月圣 , 中村大介 , 小林良纪 , 影山景弘
- Applicant: 爱发科成膜株式会社
- Applicant Address: 日本埼玉县
- Assignee: 爱发科成膜株式会社
- Current Assignee: 爱发科成膜株式会社
- Current Assignee Address: 日本埼玉县
- Agency: 北京德琦知识产权代理有限公司
- Agent 杨晶; 王琦
- Priority: 2013-086982 2013.04.17 JP
- International Application: PCT/JP2014/060935 2014.04.17
- International Announcement: WO2014/171512 JA 2014.10.23
- Date entered country: 2015-07-22
- Main IPC: G03F1/28
- IPC: G03F1/28 ; G03F1/29

Abstract:
在相移层形成工序中,通过设定气氛气体中的氧化性气体的流量比,从而在透明基板(S)上将相移层(11b、11c、11d)形成为多级。然后,在相移图案的形成工序中,对所述相移层进行湿式蚀刻,以形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域(B1bh、B1bi)。
Public/Granted literature
- CN104937490A 相移掩膜的制造方法及相移掩膜 Public/Granted day:2015-09-23
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