Invention Grant
- Patent Title: 结晶性层叠结构体，半导体装置
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Application No.: CN201510144633.4Application Date: 2015-03-30
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Publication No.: CN104952926BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 人罗俊实 , 织田真也
- Applicant: 株式会社FLOSFIA
- Applicant Address: 日本京都府京都市西京区御陵大原1番29号
- Assignee: 株式会社FLOSFIA
- Current Assignee: 株式会社FLOSFIA
- Current Assignee Address: 日本京都府京都市西京区御陵大原1番29号
- Agency: 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司
- Agent 温青玲
- Priority: 2014-072779 2014.03.31 JP
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/24 ; H01L29/04 ; H01L21/02 ; H01L21/34
Abstract:
本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
Public/Granted literature
- CN104952926A 结晶性层叠结构体，半导体装置 Public/Granted day:2015-09-30
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IPC分类:
