Invention Grant
- Patent Title: 一种非易失性存储器写状态寄存器的方法
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Application No.: CN201510633367.1Application Date: 2015-09-29
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Publication No.: CN105161131BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 舒清明 , 薛子恒 , 潘荣华
- Applicant: 北京兆易创新科技股份有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
- Assignee: 北京兆易创新科技股份有限公司
- Current Assignee: 兆易创新科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
- Agency: 北京品源专利代理有限公司
- Agent 胡彬; 邓猛烈
- Main IPC: G11C16/10
- IPC: G11C16/10 ; G11C16/14

Abstract:
本发明公开了一种非易失性存储器写状态寄存器的方法。所述方法包括:步骤1、读取状态寄存器的原始数据;步骤2、判断用户发送数据和所述状原始数据是否相等,若是,结束写状态寄存器,否则执行步骤3;步骤3、判断所述原始数据是否全部为擦除数据,若是,对所述原始数据进行编程操作,否则执行步骤4;步骤4、判断所述原始数据是否全部为编程数据,若是,对所述原始数据进行擦除操作;否则对所述原始数据进行预编程操作和擦除操作,执行步骤5;步骤5、判断用户数据是否全部为擦除数据,若是,结束写状态寄存器,否则对所述状态寄存器进行编程操作,结束写状态寄存器。本发明提供的技术方案,节约写状态寄存器时间,延长状态寄存器使用寿命。
Public/Granted literature
- CN105161131A 一种非易失性存储器写状态寄存器的方法 Public/Granted day:2015-12-16
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