Invention Grant
- Patent Title: 感应元件
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Application No.: CN201410858481.XApplication Date: 2014-12-19
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Publication No.: CN105321675BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: D·迪努洛维奇
- Applicant: 沃思电子埃索斯有限责任两合公司
- Applicant Address: 德国沃尔登堡
- Assignee: 沃思电子埃索斯有限责任两合公司
- Current Assignee: 沃思电子埃索斯有限责任两合公司
- Current Assignee Address: 德国沃尔登堡
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 周志明; 宣力伟
- Priority: 202014005370.7 2014.06.27 DE
- Main IPC: H01F27/28
- IPC: H01F27/28 ; H01F5/00 ; H01F27/24 ; H01F1/34

Abstract:
提出了一种感应元件,具有非导电的基底(12;42)和导电的、至少逐段地环绕所述基底(12;42)的绕组(14),其中,通过薄膜技术将所述绕组(14)至少逐段地涂敷到所述基底(12;42)上,其特征在于,所述基底(12;42)完全由软磁性的铁氧体材料组成,或者含有分布在基底的整个体积中的软磁性的铁氧体材料。
Public/Granted literature
- CN105321675A 感应元件 Public/Granted day:2016-02-10
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