用于通过氢处理控制多栅极FinFET装置外延扩展结的方法和结构

Invention Grant

CN105849874B 用于通过氢处理控制多栅极FinFET装置外延扩展结的方法和结构有权

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Patent Title: 用于通过氢处理控制多栅极FinFET装置外延扩展结的方法和结构
Application No.: CN201480070807.0

Application Date: 2014-10-10
Publication No.: CN105849874B

Publication Date: 2019-10-11
Inventor: V·S·巴斯克 , 刘作光 , T·亚马施塔 , 葉俊呈
Applicant: 国际商业机器公司
Applicant Address: 美国纽约
Assignee: 国际商业机器公司
Current Assignee: 国际商业机器公司
Current Assignee Address: 美国纽约
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 刘倜
Priority: 14/141,051 2013.12.26 US
International Application: PCT/US2014/060000 2014.10.10
International Announcement: WO2015/099862 EN 2015.07.02
Date entered country: 2016-06-24
Main IPC: H01L21/336
IPC: H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L21/20

Abstract:

实施例针对：形成包括至少一个鳍片、栅极以及间隔件的结构，对所述结构应用退火工艺以生成在所述至少一个鳍片与所述间隔件之间的间隙，以及在所述间隔件与所述至少一个鳍片之间的间隙中生长外延半导体层。

Abstract(English):

Embodiments are directed to forming a structure comprising at least one fin, a gate, and a spacer, applying an annealing process to the structure to create a gap between the at least one fin and the spacer, and growing an epitaxial semiconductor layer in the gap between the spacer and the at least one fin.

Public/Granted literature

CN105849874A 用于通过氢处理控制多栅极FinFET装置外延扩展结的方法和结构 Public/Granted day:2016-08-10

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的