Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置和形成该半导体装置的方法
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Application No.: CN201610140176.6Application Date: 2016-03-11
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Publication No.: CN105977291BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: J.P.德苏扎 , K.E.福格尔 , 金志焕 , D.K.萨达纳 , B.A.瓦卡瑟
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约阿芒克
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约阿芒克
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 邱军; 赵国荣
- Priority: 14/656,089 2015.03.12 US
- Main IPC: H01L29/772
- IPC: H01L29/772 ; H01L21/335 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/06
Abstract:
一种半导体装置，包括基板和基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III‑V族材料。n型材料形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中。该n型层包括ZnO。铝接触形成为与该n型材料的ZnO直接接触以形成电子装置。
Public/Granted literature
- CN105977291A 半导体装置和形成该半导体装置的方法 Public/Granted day:2016-09-28
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IPC分类:
