Invention Publication
- Patent Title: 硅基电极制作工艺及其储能装置
- Patent Title (English): Silicon-based electrode production process and energy storage device
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Application No.: CN201510115323.XApplication Date: 2015-03-17
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Publication No.: CN106033807APublication Date: 2016-10-19
- Inventor: 石东益 , 杜正恭 , 刘伟仁 , 陈秉宏 , 庄上毅
- Applicant: 石东益 , 杜正恭 , 陈秉宏
- Applicant Address: 中国台湾新竹市东区民权路15号10楼
- Assignee: 石东益,杜正恭,陈秉宏
- Current Assignee: 智捷能源股份有限公司,杜正恭陈秉宏
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市东区民权路15号10楼
- Agency: 上海申新律师事务所
- Agent 吴俊
- Main IPC: H01M4/1395
- IPC: H01M4/1395 ; H01M4/62 ; H01M10/058 ; H01M10/052

Abstract:
本发明揭露一种储能装置,包括容置有电解液的壳体、硅基电极、正极板及隔离膜,且硅基电极、正极板及隔离膜浸润于电解液内,且隔离膜设置在硅电极及正极板之间。其中,硅基电极包含导电基板、于表面具有原子掺杂层的硅层设置在导电基板上以及有机保护膜层镀覆在具有原子掺杂层的硅层的表面上。利用经过表面改质处理以及镀覆有机保护膜层的硅基电极做为储能装置的负极电极,可以提升库仑转换效率以及降低界面阻抗,藉此增加储存系统的使用寿命。除此之外,原子掺杂层与有机保护膜层的顺序可替换或可为其组合。
Public/Granted literature
- CN106033807B 硅基电极制作工艺及其储能装置 Public/Granted day:2019-08-13
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