Invention Grant
- Patent Title: 一种非均匀微带线至带状线过渡结构
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Application No.: CN201610871225.3Application Date: 2016-09-29
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Publication No.: CN106159404BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 沈玮 , 李振海 , 陈凯 , 化宁 , 刘宇 , 张理正
- Applicant: 上海航天测控通信研究所
- Applicant Address: 上海市闵行区中春路1777号
- Assignee: 上海航天测控通信研究所
- Current Assignee: 上海航天测控通信研究所
- Current Assignee Address: 上海市闵行区中春路1777号
- Agency: 上海汉声知识产权代理有限公司
- Agent 邵晓丽; 胡晶
- Main IPC: H01P3/18
- IPC: H01P3/18 ; H01P5/08

Abstract:
本发明公开了一种非均匀微带线至带状线过渡结构,包括:金属层及介质层,金属层层数为N,N≥4,N层金属层依次堆叠设置,介质层的层数为N‑1,介质层设置于每相邻两层金属层之间;还包括:非均匀输入微带线、非均匀输出微带线、带状线、圆形槽及信号盲孔;非均匀输入、输出微带线设置于第一层金属层上;当金属层层数N=4,带状线设置于第三层金属层上,圆形槽设置于第二层金属层上;当金属层层数N>4,带状线设置于第三至第N‑1层之间的任意一层金属层上,圆形槽设置于第二至带状线所在的金属层之间的任意一层上;信号盲孔的垂直投影位于圆形槽的垂直投影内;信号盲孔用于连接带状线与非均匀输入、输出微带。本发明能够非均匀微带线结构。
Public/Granted literature
- CN106159404A 一种非均匀微带线至带状线过渡结构 Public/Granted day:2016-11-23
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