Invention Grant
- Patent Title: 单端位线存储器的具有动态参考电压的差动传感电路
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Application No.: CN201510304489.6Application Date: 2015-06-05
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Publication No.: CN106205689BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 黄世煌 , 黄睿夫
- Applicant: 联发科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- Assignee: 联发科技股份有限公司
- Current Assignee: 联发科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- Agency: 北京市万慧达律师事务所
- Agent 张金芝; 代峰
- Priority: 62/092,852 2014.12.17 US
- Main IPC: G11C16/06
- IPC: G11C16/06

Abstract:
本发明提供了一种用于单端位线存储器的具有动态参考电压的差动传感电路。典型的差动传感电路包括:动态参考电压生成单元和差动传感放大单元。动态参考电压生成单元耦接到输入电压上,并且用于接收设置信号以生成动态参考电压。差动传感放大单元耦接到单端位线存储器和动态参考电压生成单元上,并且用于接收至少一来自单端位线存储器的输入信号和来自动态参考电压生成单元的动态参考电压,从而相应地生成至少一输出信号。本发明所公开的用动态参考电压的差动传感电路能够提高性能并且降低动态功率,而无需接收直流电流且不需要单端位线存储器的较大芯片面积,本发明适用于高速和低功率的设计。
Public/Granted literature
- CN106205689A 单端位线存储器的具有动态参考电压的差动传感电路 Public/Granted day:2016-12-07
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