Invention Grant
- Patent Title: 半导体组件及其制造方法
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Application No.: CN201610041083.8Application Date: 2016-01-21
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Publication No.: CN106206527BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 罗翊仁 , 施能泰
- Applicant: 美光科技公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 王允方
- Priority: 14/720,841 2015.05.25 US
- Main IPC: H01L23/495
- IPC: H01L23/495 ; H01L21/48

Abstract:
本发明公开了一半导体组件,包含一中介层基板,具有一正面与一背面;一重布层位于所述正面,且所述重布层包含多个接触垫;多个凸块,分别位于所述接触垫上;至少一半导体芯片安装于所述正面,并借由所述凸块与所述重布层电性连接;一翘曲抑制罩安装于所述正面,覆盖且密封所述半导体芯片;以及多个直通硅穿孔,贯穿所述中介层基板且与所述重布层电性连接。
Public/Granted literature
- CN106206527A 半导体组件及其制造方法 Public/Granted day:2016-12-07
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IPC分类: