Invention Grant
- Patent Title: 一种宽带选择性透波极化调控电磁结构
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Application No.: CN201610817911.2Application Date: 2016-09-12
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Publication No.: CN106450793BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 邓龙江 , 张林博 , 周佩珩 , 陈海燕 , 陆海鹏 , 谢建良
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Agency: 电子科技大学专利中心
- Agent 甘茂
- Main IPC: H01Q15/24
- IPC: H01Q15/24

Abstract:
本发明属于电子材料技术领域,提供一种宽带选择性透波极化调控电磁结构,该结构共包含5层,表层和底层为相同尺寸的金属开口谐振环、且开口方向相互垂直,中间层为金属偶极子,金属偶极子与谐振环之间均为介质基板;所述金属开口谐振环开口方向沿对角线方向,所述金属偶极子长轴方向与谐振环开口方向呈45°夹角。本发明电磁结构具有非对称传输特性和非对称透波功能,且制备工艺简单成熟、可操作性强、成本较低;同时该结构在入射角度为0°至30°范围内,均能保持较高的极化转换率、较宽的极化转换频带以及稳定的选择性透波工作频段。
Public/Granted literature
- CN106450793A 一种宽带选择性透波极化调控电磁结构 Public/Granted day:2017-02-22
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