Invention Grant
- Patent Title: 电子元件及其形成方法
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Application No.: CN201510518287.1Application Date: 2015-08-21
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Publication No.: CN106469689BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 林根伟 , 杨顺迪 , 波姆皮奥·乌马里 , 梁志豪 , 孙智灵
- Applicant: 安世有限公司
- Applicant Address: 荷兰奈梅亨
- Assignee: 安世有限公司
- Current Assignee: 安世有限公司
- Current Assignee Address: 荷兰奈梅亨
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 麦善勇; 张天舒
- Main IPC: H01L23/31
- IPC: H01L23/31 ; H01L23/495

Abstract:
一种电子元件,包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,以及在第一表面与第二表面之间的相邻接的侧面;电子元件在第一表面上包括焊盘,焊盘自第一表面上延伸至相邻接的侧面,并在侧面上相邻接。本发明还提供一种形成电子元件的方法。
Public/Granted literature
- CN106469689A 电子元件及其形成方法 Public/Granted day:2017-03-01
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IPC分类: