Invention Grant
- Patent Title: 一种具有大制作容差的超短垂直波导耦合器
-
Application No.: CN201611056211.2Application Date: 2016-11-21
-
Publication No.: CN106483600BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 陆巧银 , 刘灿 , 赵龚媛 , 国伟华
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 北京华沛德权律师事务所
- Agent 房德权
- Main IPC: G02B6/122
- IPC: G02B6/122

Abstract:
本发明公开了一种具有大制作容差的超短垂直波导耦合器。该耦合器垂直方向上由上波导、间隔层和下波导构成。在传播方向上,垂直耦合器分为输入区域、耦合区域以及输出区域。在耦合区域,上波导的宽度逐渐变小,分成前段、中段和后段;前段和后段为上波导宽度快速收缩段,中段为模式转移段。本发明通过减小上下波导之间的间隔层的厚度来增大耦合系数,从而缩短耦合器的长度;在耦合区域的中段,设置合适的上波导宽度递减速率以及合适的长度,使上波导的宽度因为实际制作精度的局限产生偏差时,上波导的模式仍然能向下波导高效转移,从而实现大的制作容差。
Public/Granted literature
- CN106483600A 一种具有大制作容差的超短垂直波导耦合器 Public/Granted day:2017-03-08
Information query