Invention Grant
- Patent Title: 包含MnBi的各向异性复合烧结磁体和用于制备其的常压烧结工艺
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Application No.: CN201580003552.0Application Date: 2015-06-25
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Publication No.: CN106537525BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 金真培 , 边良禹
- Applicant: LG电子株式会社
- Applicant Address: 韩国首尔
- Assignee: LG电子株式会社
- Current Assignee: LG电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国首尔
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 陈海涛; 穆德骏
- Priority: 10-2015-0055389 2015.04.20 KR
- International Application: PCT/KR2015/006495 2015.06.25
- International Announcement: WO2016/171321 KO 2016.10.27
- Date entered country: 2016-06-30
- Main IPC: H01F1/053
- IPC: H01F1/053 ; H01F1/057 ; H01F1/059 ; H01F1/40 ; H01F41/02
Abstract:
本发明涉及包含具有提高的磁特性的MnBi的各向异性复合烧结磁体和用于制备其的常压烧结方法。根据本发明的包含MnBi的各向异性复合烧结磁体可以实现优异的磁特性，因此可以代替在相关领域中的稀土粘结磁体，并且能够实现连续过程，这是因为通过常压烧结方法制备该磁体，并且原样使用用于相关领域中的永磁体过程的烧结方法，使得各向异性复合烧结磁体是经济的。
Public/Granted literature
- CN106537525A 包含MnBi的各向异性复合烧结磁体和用于制备其的常压烧结工艺 Public/Granted day:2017-03-22
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