Invention Grant
- Patent Title: 一种降维模拟退火算法的叶根结构优化方法
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Application No.: CN201611154821.6Application Date: 2016-12-14
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Publication No.: CN106682292BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 谢永慧 , 刘天源 , 郭鼎 , 张荻
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 陆万寿
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50

Abstract:
本发明公开一种降维模拟退火算法的叶根结构优化方法,包括:1、确定优化过程中的设计变量,并完成对目标叶片的二维参数化建模和三维参数化建模;2、随机生成N0组设计变量,通过有限元计算出这N0组设计变量下二维模型和三维模型最大应力值相对误差的初始平均值μ0和初始标准差δ0;3、以三维有限元模型的计算结果开始通过模拟退火算法对叶根进行优化,在Metropolis采样过程中根据相对误差的初始平均值μ0和初始标准差δ0引入了降维准则,减小有限元计算量,并在进行三维模型计算之后更新相对误差的平均值和标准差;当退火温度低于设置值或者目标函数值稳定时,若结果检验在允许误差内则计算过程得到收敛,完成优化。该方法具有收敛速度快,节约计算资源和时间等优点。
Public/Granted literature
- CN106682292A 一种降维模拟退火算法的叶根结构优化方法 Public/Granted day:2017-05-17
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