Invention Grant
- Patent Title: 一种共轭多孔聚合物电容材料及其制备方法与应用
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Application No.: CN201611242304.4Application Date: 2016-12-29
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Publication No.: CN106750293BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 赖文勇 , 李祥春 , 王春玉 , 万一 , 黄维
- Applicant: 南京邮电大学
- Applicant Address: 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
- Assignee: 南京邮电大学
- Current Assignee: 南京邮电大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
- Agency: 南京经纬专利商标代理有限公司
- Agent 楼高潮
- Main IPC: C08G73/10
- IPC: C08G73/10 ; C08G12/26 ; H01G11/48

Abstract:
本发明公开了一种共轭多孔聚合物电容材料及其制备方法与应用,该共轭多孔聚合物的化学结构通式含有三并咔唑结构单元。制备方法为将三并咔唑硝化反应得三硝基‑三并咔唑,用三硝基‑三并咔唑制备三氨基‑三并咔唑,最后将三并咔唑与醛基或者酸酐链接形成共轭多孔聚合物,即得电容材料。本发明共轭多孔聚合物电容材料在能源储存领域应用广泛,可实现多次循环充放电,比电容衰减率低,循环稳定定好,材料结构新颖,且制备方法简单、成本低廉,是一种极具应用潜力的电容材料。
Public/Granted literature
- CN106750293A 一种共轭多孔聚合物电容材料及其制备方法与应用 Public/Granted day:2017-05-31
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