Invention Grant
- Patent Title: 一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构
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Application No.: CN201611165545.3Application Date: 2016-12-16
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Publication No.: CN106772703BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 田慧平 , 付中原 , 孙富君 , 王春红 , 丁兆祥 , 王超
- Applicant: 北京邮电大学
- Applicant Address: 北京市海淀区西土城路10号
- Assignee: 北京邮电大学
- Current Assignee: 北京邮电大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区西土城路10号
- Main IPC: G02B1/00
- IPC: G02B1/00 ; G02B6/12 ; G01N21/41

Abstract:
本发明涉及一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构。本发明将一个1×8分束器,八个一维光子晶体槽纳米束微腔(1DPC‑SNCs),八个渐变型一维光子晶体带阻滤波器(1DPC‑TNBF)和一个8×1耦合器串联在二氧化硅衬底上。通过将空气槽加入光子晶体微腔,在保证高Q值得前提下将灵敏度提高到400nm/RIU以上,通过优化微腔的结构,其Q值可达7×105。一维光子晶体带阻滤波器可以实现对微腔高阶模的滤波,实现比较大的自由光谱范围(FSR),通过与分束/耦合器的级联,可以实现在一个输入/输出端口下的大规模、同时询问的并行复用传感。复用结构的整体尺寸只有64×16μm2(传感区域26×16μm2),并且没有设计悬浮区域,提高了结构强度并降低了制作难度。本发明可用于超紧凑气体环境复用传感领域。
Public/Granted literature
- CN106772703A 一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构 Public/Granted day:2017-05-31
Information query
IPC分类:
G | 物理 |
G02 | 光学 |
G02B | 光学元件、系统或仪器 |
G02B1/00 | 按制造材料区分的光学元件;用于光学元件的光学涂层 |