Invention Publication
- Patent Title: 基于亚波长光栅结构的宽带氮化硅波导耦合器
- Patent Title (English): Broadband silicon nitride waveguide coupler based on sub-wavelength grating structure
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Application No.: CN201710116953.8Application Date: 2017-03-01
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Publication No.: CN106772801APublication Date: 2017-05-31
- Inventor: 冯吉军 , 顾昌林 , 曾和平
- Applicant: 上海理工大学
- Applicant Address: 上海市杨浦区军工路516号
- Assignee: 上海理工大学
- Current Assignee: 上海理工大学
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区军工路516号
- Agency: 上海申汇专利代理有限公司
- Agent 吴宝根
- Main IPC: G02B6/125
- IPC: G02B6/125 ; G02B6/124

Abstract:
本发明涉及一种基于亚波长光栅结构的宽带氮化硅波导耦合器,由两个完全左右前后对称的结构相同的氮化硅波导耦合组成,输入端为分离的直波导,经过弯曲的锥形波导进入耦合区,到周期光栅结构,再到弯曲的锥形波导到输出端分离的直波导,锥形波导中间为从直波导宽度渐变小的锥形,两边为等宽的锯齿形,锯齿形的间隔结构与光栅结构相同,该波导耦合器从头到尾宽度和高度完全相等。设计的光栅结构的氮化硅宽带耦合器较传统意义上的耦合器而言能够极大地拓宽了传输带宽,传输损耗低,耦合效率高,性能稳定,在1550纳米光通信波段具有重要的应用前景。
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