Invention Grant
- Patent Title: 用于集成电路的片上电感等效电路模型及参数提取方法
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Application No.: CN201611024213.3Application Date: 2016-11-18
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Publication No.: CN106777483BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 王瀚升 , 何伟梁 , 张明辉 , 唐旭升 , 黄风义
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Agency: 南京苏高专利商标事务所
- Agent 娄嘉宁
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50

Abstract:
本发明公开了一种用于集成电路的片上电感等效电路模型,包括输入端、输出端、串联部分和衬底部分;所述串联部分与所述衬底部分并联在输入端与输出端之间;所述串联部分中包括趋肤寄生单元,所述趋肤寄生单元并联在串联部分中电阻的两端,所述趋肤寄生单元包括依次串联的趋肤寄生电容、趋肤寄生电阻和趋肤寄生电感。本发明还提供了用于集成电路的片上电感等效电路模型中参数的提取方法。本发明提出的包含趋肤效应和衬底横向耦合效应寄生元件的片上电感等效电路模型能够提高仿真同测试结果的拟合精度。同时,电路模型的参数提取的方法也更加简单,使整个电路模型实现对片上电感的高精度仿真。
Public/Granted literature
- CN106777483A 用于集成电路的片上电感等效电路模型及参数提取方法 Public/Granted day:2017-05-31
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