一种基于纳米TiO<base:Sub>2</base:Sub>的低功耗微纳气体传感器及制备方法
Abstract:
本发明公开了一种基于纳米TiO2的低功耗微纳气体传感器及制备方法,该传感器自下而上分别为SiO2‑Si3N4掩蔽层、硅基底、SiO2‑Si3N4‑SiO2‑Si3N4复合绝缘层、电极层、敏感材料层。通过布置测温电极,实时测量芯片中心温度。Si基底下通过湿法腐蚀去掉绝大部分Si,形成SiO2‑Si3N4‑SiO2‑Si3N4复合悬膜结构,悬膜之上为按中心对称、螺旋布置的加热电极和敏感电极。敏感材料位于敏感电极之上,在敏感材料区域内依次溅射TiO2薄膜、Ti薄膜,其中TiO2薄膜用于定义后续纳米棒的生长区,热盐酸蒸汽法将Ti源氧化为TiO2纳米棒制备敏感层,使TiO2纳米棒生长在TiO2薄膜上。本发明纳米棒桥接相连,具有极高的比表面积和更好的气体响应特性;优化了悬膜的机械性能,减少热传递,温度精确可控。简化了工序,避免了寄生电场的产生。
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