Invention Grant
- Patent Title: 沟槽型超级结及其制造方法
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Application No.: CN201710003927.4Application Date: 2017-01-04
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Publication No.: CN106847896BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 李昊
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 郭四华
- Main IPC: H01L29/423
- IPC: H01L29/423 ; H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336

Abstract:
本发明公开了一种沟槽型超级结,包括:多个沟槽,各沟槽中填充有第二导电类型的第一外延层,第一外延层将体积最小的沟槽趋于完全填满,在第一外延层未完全填充的沟槽中还填充有第二外延层,第二外延层叠加于第一外延层的表面并将各沟槽完全填满。第二外延层为不掺杂或进行掺杂浓度小于第一外延层的第二导电类型掺杂,第二外延层和第一外延层的掺杂不同使得第二导电类型薄层的总掺杂量由第一外延层决定,从而降低各沟槽的体积差异对超级结的击穿电压的影响从而使超级结的击穿电压的面内均匀性提高。本发明还公开了一种沟槽型超级结的制造方法。本发明能提高超级结的击穿电压的面内均匀性,工艺简单,对超级结工艺平台的量产化有着重要的意义。
Public/Granted literature
- CN106847896A 沟槽型超级结及其制造方法 Public/Granted day:2017-06-13
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IPC分类: