Invention Grant
- Patent Title: 测量电容失配特性的电路结构及测量方法
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Application No.: CN201710068661.1Application Date: 2017-02-08
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Publication No.: CN106896283BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 张斌
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: G01R31/00
- IPC: G01R31/00

Abstract:
本发明公开了一种测量电容失配特性的电路结构及测量方法,包含第一电容阵列及第二电容阵列、第一及第二数模转换器、比较器以及逐次逼近寄存器逻辑,还有若干开关。本发明针对小尺寸电容,第一电容阵列通过开关的开关机制产生包含电容失配信息的电压,通过逐次逼近寄存器逻辑、数模转换器、比较器以及失调补偿电容组成逐次逼近寄存器模数转换器SAR ADC,先校准比较器的输入失调电压,再将包含电容失配信息的电压量化为数字信号,从逐次逼近寄存器逻辑的输出端口输出,避免了探针直接测量电容值。
Public/Granted literature
- CN106896283A 测量电容失配特性的电路结构及测量方法 Public/Granted day:2017-06-27
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