Invention Publication
- Patent Title: 一种基于电子动态调控制备单层二硫化钼量子点的方法
- Patent Title (English): Method for preparing monolayer molybdenum disulfide quantum dots based on electronic dynamic regulation and control
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Application No.: CN201710096660.8Application Date: 2017-02-22
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Publication No.: CN106905966APublication Date: 2017-06-30
- Inventor: 姜澜 , 李博 , 李欣
- Applicant: 北京理工大学
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee: 北京理工大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南大街5号
- Agency: 北京理工正阳知识产权代理事务所
- Agent 毛燕
- Priority: 2017100222299 20170112 CN
- Main IPC: C09K11/68
- IPC: C09K11/68 ; B01J27/051 ; B01J37/34 ; B82Y40/00 ; C01G39/06

Abstract:
本发明涉及一种基于电子动态调控制备单层二硫化钼量子点的方法,得到二硫化钼悬浮液后进行离心分离进而得到粒径均匀的单层二硫化钼量子点的方法,属于飞秒激光应用领域。本发明针对二硫化钼材料的特性,通过将传统的飞秒激光单脉冲使用迈克尔逊干涉仪进行脉冲整形形成脉冲序列,调节脉冲序列的能量、子脉冲间的延时、激光扫描速度和扫描的间隔,在水中烧蚀体块二硫化钼,进而调控激光与材料相互作用过程中的局部瞬时电子动态,形成多级光剥离二硫化钼得到粒径均匀的单层二硫化钼量子点,以及激光诱导水电离增强光吸收提升二硫化钼量子点的产率。本发明无需特殊化学环境、无需任何化学试剂、绿色无污染、操作简单、灵活。
Public/Granted literature
- CN106905966B 一种基于电子动态调控制备单层二硫化钼量子点的方法 Public/Granted day:2019-08-13
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