Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
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Application No.: CN201580066323.3Application Date: 2015-12-04
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Publication No.: CN107004662BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 林英二 , 小林涉 , 野村英司 , 神田和辉
- Applicant: 株式会社电装
- Applicant Address: 日本爱知县
- Assignee: 株式会社电装
- Current Assignee: 株式会社电装
- Current Assignee Address: 日本爱知县
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 胡建新; 朴勇
- Priority: 2014-250186 2014.12.10 JP
- International Application: PCT/JP2015/006035 2015.12.04
- International Announcement: WO2016/092791 JA 2016.06.16
- Date entered country: 2017-06-06
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L23/40

Abstract:
半导体装置具备:半导体芯片(11、11H、11L),在一面(11a)具有电极(12);上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L);金属部件(18、18H、18L),具有基材(19a)和被膜(19b),并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间;上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17);以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分,配置在上述金属薄膜上。
Public/Granted literature
- CN107004662A 半导体装置及其制造方法 Public/Granted day:2017-08-01
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IPC分类: