Invention Grant
- Patent Title: 由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法
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Application No.: CN201580068979.9Application Date: 2015-11-06
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Publication No.: CN107108665BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: D·凯瑟里斯 , J·罗伯茨
- Applicant: 美国陶氏有机硅公司
- Applicant Address: 美国密歇根州
- Assignee: 美国陶氏有机硅公司
- Current Assignee: 美国陶氏有机硅公司
- Current Assignee Address: 美国密歇根州
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 吴亦华
- Priority: 62/093487 2014.12.18 US
- International Application: PCT/US2015/059368 2015.11.06
- International Announcement: WO2016/099689 EN 2016.06.23
- Date entered country: 2017-06-16
- Main IPC: C07F7/16
- IPC: C07F7/16

Abstract:
本发明提供了一种制备包含卤代硅烷的反应产物的方法,所述方法包括:在300℃至700℃的温度下,使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触以形成所述反应产物。所述三元金属间化合物包含铜、硅和过渡金属。所述反应产物中的所述卤代硅烷具有式R1mR2nHoSiX(4‑m‑n‑o),其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团,每个R2独立地为不饱和一价烃基基团;每个X独立地为卤素原子;下标m为1、2或3;下标n为0、1或2;下标o为0、1或2;并且(m+n+o)的量为1、2或3。所述不饱和烃基卤化物中的所述不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团(R1)。
Public/Granted literature
- CN107108665A 由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法 Public/Granted day:2017-08-29
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