Invention Grant
- Patent Title: 晶片的制造方法
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Application No.: CN201710053952.3Application Date: 2017-01-24
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Publication No.: CN107116710BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 进藤良二 , 二村公康 , 福田正树
- Applicant: 胜高股份有限公司
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 胜高股份有限公司
- Current Assignee: 胜高股份有限公司
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 卢曼; 鲁炜
- Priority: 2016-034064 2016.02.25 JP
- Main IPC: B28D5/04
- IPC: B28D5/04 ; B28D7/00 ; B28D7/04 ; B24B27/06

Abstract:
本发明提供一种晶片的制造方法,该方法具备:边向移动中的金属线列供给浆料,边使保持单晶锭的保持装置相对于金属线列相对地下降,从而将单晶锭切断的切断工序;以及,使保持装置相对于金属线列相对地上升,从而将切断后的单晶锭从金属线列中拔出的拔出工序,拔出工序中以100mm/min以上的速度使保持装置相对地上升。
Public/Granted literature
- CN107116710A 晶片的制造方法 Public/Granted day:2017-09-01
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