Invention Grant
- Patent Title: 一种声表面波传感器芯片结构及传感器
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Application No.: CN201710198913.2Application Date: 2017-03-29
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Publication No.: CN107145931BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 李红浪 , 蔡飞达 , 李鹏旭 , 柯亚兵 , 田亚会 , 程利娜
- Applicant: 中国科学院声学研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区北四环西路21号
- Assignee: 中国科学院声学研究所
- Current Assignee: 中国科学院声学研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区北四环西路21号
- Agency: 北京亿腾知识产权代理事务所
- Agent 陈霁
- Main IPC: G06K19/07
- IPC: G06K19/07 ; G01D5/48 ; H02N2/18

Abstract:
本发明公开了一种声表面波传感器芯片结构,该结构包括,压电基片(21)和叉指换能器(20);其中,叉指换能器(20)包括汇流条(22)和电极部分(23),电极部分(23)设置为尖角结构;压电基片(21)用于积聚电能;叉指换能器(20)用于将电能转化为机械能,在传播路径上调制声波信号,通过逆压电效应,将机械能转化为电能,为声表面波传感器提供能量。本发明能够使SAW传感器的读写范围大大提升,实现更远距离的接收,满足传感器市场对于读写范围的需求。
Public/Granted literature
- CN107145931A 一种声表面波传感器芯片结构及传感器 Public/Granted day:2017-09-08
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