Invention Grant
- Patent Title: 一种小信号量测的去嵌方法
-
Application No.: CN201710407774.XApplication Date: 2017-06-02
-
Publication No.: CN107167724BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 张永明 , 李斌 , 彭俊益
- Applicant: 厦门市三安集成电路有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
- Assignee: 厦门市三安集成电路有限公司
- Current Assignee: 厦门市三安集成电路有限公司
- Current Assignee Address: 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
- Agency: 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- Agent 张松亭
- Main IPC: G01R31/28
- IPC: G01R31/28

Abstract:
本发明公开了一种小信号量测的去嵌方法,包括:形成一待测件量测结构、一直通去嵌件和一开路去嵌件;分别测试并且提取待测件量测结构、开路去嵌件和直通去嵌件的S散射参数;通过算法将直通去嵌件的S散射参数提取出等效的短路去嵌件的S散射参数;将开路去嵌件的S散射参数转换成Y导纳参数;将等效的短路去嵌件的S散射参数转换成Z阻抗参数;将待测件量测结构的S散射参数分别转换成Y导纳和Z阻抗参数,并与开路去嵌件和等效的短路去嵌件的应参数进行矩阵计算,获得去嵌后的S散射参数。对于带孔器件,本发明方法可以避免短路去嵌件去嵌过程中,量测结果被过度去嵌。
Public/Granted literature
- CN107167724A 一种小信号量测的去嵌方法 Public/Granted day:2017-09-15
Information query