Invention Grant
- Patent Title: 一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法
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Application No.: CN201710466058.9Application Date: 2017-06-19
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Publication No.: CN107188527BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 王红洁 , 牛敏 , 苏磊 , 范星宇 , 史忠旗 , 夏鸿雁
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 王霞
- Main IPC: C04B30/02
- IPC: C04B30/02 ; C04B35/573 ; C04B35/622 ; C04B35/626

Abstract:
本发明公开了一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法,属于先进陶瓷制备技术领域。技术方案为:以多孔碳材料为骨架,以烷氧基硅烷水解制备的聚硅氧烷溶胶为前驱体,通过浸渍‑裂解‑气相反应,获得多孔碳材料/SiC纳米线中间结构,然后通过热氧化去除多孔碳材料骨架,获得纳米线构筑的SiC弹性陶瓷。该材料是由SiC纳米线通过自组装形成的具有一定强度、良好弹塑性、优异隔热性能的轻质三维网络结构。该方法为制备弹性陶瓷的新方法,可实现大尺寸、形状复杂的SiC弹性陶瓷的制备,同时制备周期短,成本低,适于工业化生产。
Public/Granted literature
- CN107188527A 一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法 Public/Granted day:2017-09-22
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