Invention Publication
- Patent Title: 一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法
- Patent Title (English): MEMS fluid density sensor chip based on in-plane resonance and preparation method thereof
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Application No.: CN201710539077.XApplication Date: 2017-07-04
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Publication No.: CN107271326APublication Date: 2017-10-20
- Inventor: 赵立波 , 胡英杰 , 黄琳雅 , 李支康 , 赵玉龙 , 蒋庄德
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 陆万寿
- Main IPC: G01N9/24
- IPC: G01N9/24 ; B81B7/02

Abstract:
本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法,包括硅基底、四个弹性固支梁和中间的振子,沿硅基底长度方向的两根导线分别布置在振子两侧的固支梁上。芯片底部外加磁铁用于提供恒定磁场,磁感线方向垂直于芯片平面,将其中一根导线通入一定频率的正弦交变电流,则这根导线所在的固支梁受交变洛伦兹力作用做面内振动,从而带动振子和另外一侧固支梁做受迫振动,则另外一根导线切割磁感线而产生感应电动势。将H型硅微双端固支梁结构浸入被测流体中,改变正弦交变电流的频率使得固支梁发生谐振,根据感应电动势的输出幅值大小可获得固支梁在被测流体中的谐振频率,通过在不同流体中固支梁谐振频率的改变来实现流体密度的测量。
Public/Granted literature
- CN107271326B 一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法 Public/Granted day:2019-10-11
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