Invention Grant
- Patent Title: 近端治疗装置及其放射源
-
Application No.: CN201610357520.7Application Date: 2016-05-26
-
Publication No.: CN107432992BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 郑文源
- Applicant: 和鑫生技开发股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新北市中和区建康路89号4楼
- Assignee: 和鑫生技开发股份有限公司
- Current Assignee: 和鑫生技开发股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新北市中和区建康路89号4楼
- Agency: 上海翼胜专利商标事务所
- Agent 翟羽
- Main IPC: A61N5/10
- IPC: A61N5/10

Abstract:
一种近端治疗装置的放射源,包括:一热阴极,被加温以产生游离电子,所述游离电子受一加速电场的作用而射向一靶元件而形成一电子束;一聚焦元件,部分围绕所述热阴极,并具有一聚焦电场,所述电子束通过所述聚焦电场而缩小其直径;一阳极管柱,被构造以进入一病变处或是一施用器的内腔中;所述靶元件,位于所述阳极管柱的末端,被所述电子束撞击而产生放射;以及一控制模组,被构造以控制所述聚焦元件的聚焦电场,从而调整所述电子束的直径大小。
Public/Granted literature
- CN107432992A 近端治疗装置及其放射源 Public/Granted day:2017-12-05
Information query