Invention Publication
- Patent Title: 半导体结构及其制造方法
- Patent Title (English): SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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Application No.: CN201710244191.XApplication Date: 2017-04-14
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Publication No.: CN107445134APublication Date: 2017-12-08
- Inventor: 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 路勇
- Priority: 15/130,077 2016.04.15 US
- Main IPC: B81B7/00
- IPC: B81B7/00 ; B81C1/00

Abstract:
本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中,该半导体结构包含:第一衬底,其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构;以及第二衬底,其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构,其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
Public/Granted literature
- CN107445134B 半导体结构及其制造方法 Public/Granted day:2021-04-13
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