Invention Grant
- Patent Title: 一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法和应用
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Application No.: CN201710665016.8Application Date: 2017-08-07
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Publication No.: CN107512718BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 张洪涛
- Applicant: 湖北工业大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区南李路28号
- Assignee: 湖北工业大学
- Current Assignee: 湖北工业大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区南李路28号
- Agency: 武汉帅丞知识产权代理有限公司
- Agent 朱必武; 周瑾
- Main IPC: C01B32/977
- IPC: C01B32/977 ; C01B32/956 ; H01M4/36 ; H01M4/58 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00

Abstract:
本发明提供一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法,以及使用该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极、全碳化硅锂二次电池。该制备方法所用原料包括非晶碳化硅粉、聚硅氧烷、锂化聚乙炔和金属混合粉末,所述金属混合粉末由金属锂粉、金属铝粉、金属铍粉、金属镁粉、金属钛粉混合而成,并同时采用介质阻挡放电等离子体工艺和高能超快激光技术,所得到的米碳化硅材料中金属含量高;由该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极组装而成的全碳化硅锂二次电池的寿命长、容量高、循环性能好,其首次库伦效率达到99.9%,放电平台为4.1~3.5V,比容量达到2450mAh/g,放电能量密度达到1600~2000Wh/kg,功率密度达到1600~2000W/kg,循环周期可以达到20000次。
Public/Granted literature
- CN107512718A 一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法和应用 Public/Granted day:2017-12-26
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