Invention Grant
- Patent Title: 一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法
-
Application No.: CN201610473416.4Application Date: 2016-06-27
-
Publication No.: CN107545082BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 赵怀慈 , 李波 , 刘明第 , 孙士洁 , 吕进锋
- Applicant: 中国科学院沈阳自动化研究所
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市南塔街114号
- Assignee: 中国科学院沈阳自动化研究所
- Current Assignee: 中国科学院沈阳自动化研究所
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市南塔街114号
- Agency: 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- Agent 徐丽; 周秀梅
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50

Abstract:
本发明涉及计算机仿真领域,具体的说是一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法。本发明包括以下步骤:确定场景中与辐射相关的参数;根据目标自身表面温度计算目标的自身辐射;根据太阳参数和目标表面反射率计算目标对太阳辐射的反射;计算目标对相邻建筑自身辐射的反射;计算目标对相邻建筑对太阳辐射的反射:依据太阳参数和大气环境参数计算目标的辐射影响。本发明能够有效地处理高光谱仿真中相邻物体对于目标的辐射影响,提高了仿真逼真度。
Public/Granted literature
- CN107545082A 一种高光谱仿真中的辐射影响计算方法 Public/Granted day:2018-01-05
Information query