Invention Grant
CN107747105B 一种非金属基光电阴极的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种非金属基光电阴极的制备方法
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Application No.: CN201710819021.XApplication Date: 2017-09-12
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Publication No.: CN107747105BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 鲁统部 , 韩莹莹 , 卢秀利
- Applicant: 天津理工大学
- Applicant Address: 天津市西青区宾水西道391号
- Assignee: 天津理工大学
- Current Assignee: 天津理工大学
- Current Assignee Address: 天津市西青区宾水西道391号
- Agency: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- Agent 胡辉; 舒胜英
- Main IPC: C25B1/04
- IPC: C25B1/04 ; C25B11/06

Abstract:
本发明公开了一种非金属基光电阴极的制备方法。本发明通过溶液化学法的制备石墨炔;将尿素置于马弗炉中,550℃煅烧4h,制备块材g‑C3N4,再将块材g‑C3N4分散在N‑甲基吡咯烷酮溶剂中超声20h,得到g‑C3N4纳米片分散液;采用溶剂热法将二者复合,即得到g‑C3N4/GDY光电阴极。本发明克服了一般空穴传输材料使用含金属的氧化物且与g‑C3N4复合来构建非金属基光电阴极。光照下,本发明所得g‑C3N4/GDY光电阴极在‑0.1V(vs NHE)得到了较高的光电流响应值,是单独g‑C3N4和单独GDY的3倍之高。本发明光阴极有很好的光电催化活性和稳定性且制备方法简单。
Public/Granted literature
- CN107747105A 一种非金属基光电阴极的制备方法 Public/Granted day:2018-03-02
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