本发明公开了一种利用1.8V耐压CMOS器件实现的耐5V高速IO电路，包括：耐压保护单元U1、ESD保护管M1与M2、ESD保护电阻R1与R2。所述IO电路在正常工作时，电路输入输出信号摆幅可以达到3.3V。该IO电路在PAD短接到5V的情况下，耐压保护单元能够保护M1与M2不会产生耐压问题，同时不会将电流引入到3.3V电源上，避免将3.3V电源拉高。IO电路的电容非常小，以保证该电路在GHz的频率上仍能保持正常工作。IO电路依然保持传统IO电路的ESD泄放路径，与传统的IO电路相比，本发明的电路利用1.8V耐压器件并能工作在3.3V电源电压下，具有一般IO所不具有的大摆幅、高速、耐高压性能，而且能够在28nm等缺乏3.3V耐压器件的先进工艺制程下实现，具有灵活广泛的应用。