Invention Grant
- Patent Title: 一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法
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Application No.: CN201710916278.7Application Date: 2017-09-30
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Publication No.: CN107817364BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 赵立波 , 于明智 , 蒋维乐 , 贾琛 , 李支康 , 王久洪 , 赵玉龙 , 蒋庄德
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 徐文权
- Main IPC: G01P15/12
- IPC: G01P15/12

Abstract:
本发明公开了一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法,加速度计芯片采用SOI硅片制造,由四个相同的传感器子单元绕芯片中心旋转布置而成,每个子单元包括质量块、支撑梁、敏感梁、铰链梁、导线和焊盘,质量块通过支撑梁与芯片外框连接,两质量块通过铰链梁连接,两根敏感梁对称分布于铰链梁两侧,导线与焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路;芯片外框键合于底层玻璃板上。一组传感器子单元为一组测量x方向的加速度,另一组测量y方向的加速度。该加速度计芯片能够实现100g以下两轴加速度的分离测量,其固有频率大于25kHz,在无放大条件下灵敏度大于0.9mV/g/3V,具有良好的性能。
Public/Granted literature
- CN107817364A 一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法 Public/Granted day:2018-03-20
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IPC分类: