Invention Publication
- Patent Title: 一种X射线波带片的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of X-ray zone plate
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Application No.: CN201710957398.1Application Date: 2017-10-16
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Publication No.: CN107833649APublication Date: 2018-03-23
- Inventor: 孔祥东 , 门勇 , 李艳丽 , 许壮 , 韩立
- Applicant: 中国科学院电工研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北二条6号
- Assignee: 中国科学院电工研究所
- Current Assignee: 中国科学院电工研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北二条6号
- Agency: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- Agent 关玲
- Main IPC: G21K1/06
- IPC: G21K1/06

Abstract:
一种X射线波带片的制备方法,采用原子层沉积(ALD)方法在直径为微米级的金属丝表面交替沉积氧化铝/氧化铪,或者氧化铝/铱等两种密度不同、厚度不同的薄膜,即第一层沉积氧化铝薄膜,第二层沉积氧化铪薄膜或铱薄膜,如此交替循环,形成一系列同心圆环。镀膜完成后利用聚焦离子束对镀膜后金属丝进行切割、抛光,最终得到所需厚度和精度的波带片。本发明适合于多种波带片的制备。
Public/Granted literature
- CN107833649B 一种X射线波带片的制备方法 Public/Granted day:2019-10-11
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