Invention Grant
- Patent Title: 一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法
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Application No.: CN201710919747.0Application Date: 2017-09-30
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Publication No.: CN107907710BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 蒋维乐 , 于明智 , 赵立波 , 贾琛 , 李支康 , 王久洪 , 赵玉龙 , 蒋庄德
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 徐文权
- Main IPC: G01P15/12
- IPC: G01P15/12

Abstract:
本发明公开了一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法,包括四组相同的子结构,四个子结构均匀对称分布于固定岛周围。固定岛与质量块之间通过内支撑梁连接,质量块与外框之间通过外支撑梁连接。敏感梁对称分布于外支撑梁两侧,敏感梁的一端与质量块的一端连接,另一端与外框连接。关于固定岛相对的两组子结构为一组,构成了测量一个加速度方向的完整工作结构两组子结构能够分别测量X轴和Y轴方向的加速度。每个子结构的两个敏感梁上具有压敏电阻,并通过金属引线和焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路。该传感器芯片可实现200g以下两轴加速度的分离测量,固有频率达到20kHz以上,灵敏度大于0.5mV/g/3V,具有较高的谐振频率和灵敏度。
Public/Granted literature
- CN107907710A 一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法 Public/Granted day:2018-04-13
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