Invention Grant
- Patent Title: 带隙基准源启动电路
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Application No.: CN201711234767.0Application Date: 2017-11-30
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Publication No.: CN107943182BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 邵博闻
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: G05F1/56
- IPC: G05F1/56

Abstract:
本发明公开了一种带隙基准源启动电路,包括三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管、四个电阻和一个NMOS晶体管;在现有的带隙基准源启动电路基础上,在第二电阻与地线之间增加了一个NMOS晶体管,该NMOS晶体管的漏极与第二电阻相连接,其源极接地,其栅极与启动电路的输出端相连接。本发明可以避免三极管零电流的简并点。
Public/Granted literature
- CN107943182A 带隙基准源启动电路 Public/Granted day:2018-04-20
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IPC分类: