Invention Grant
- Patent Title: 一种自适应非易失性存储器时序的程序加载结构和方法
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Application No.: CN201711150979.0Application Date: 2017-11-18
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Publication No.: CN107943540BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 叶宏伟 , 王吉健
- Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科园区碧波路572弄39号;
- Assignee: 上海华虹集成电路有限责任公司,北京中电华大电子设计有限责任公司
- Current Assignee: 上海华虹集成电路有限责任公司,北京中电华大电子设计有限责任公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科园区碧波路572弄39号;
- Main IPC: G06F9/445
- IPC: G06F9/445 ; G06F13/10

Abstract:
本发明公开了一种适应不同非易失性存储器快速读指令的程序加载方法,包括:一SOC内嵌高速SPI硬件或软件接口,一外部非易失性存储器通用读驱动程序,一外部非易失性存储器快速读驱动程序,一包含自身快速读驱动程序的外部非易失性存储器。本发明利用一SPI接口非易失性存储器,存有系统应用程序和自身快速读驱动程序,在嵌入式系统加载程序期间SOC芯片内的MCU首先执行内部ROM中片外非易失性存储器通用驱动程序,采用普通读时序把片外非易失性存储器内的快速读驱动程序加载到SOC芯片内的SRAM中,然后通过执行此快速读驱动程序实现从外部非易失性存储器中快速加载应用程序到SOC内存的功能,这种程序加载方法能适应各种外部非易失性存储器的快速加载时序。
Public/Granted literature
- CN107943540A 一种自适应非易失性存储器时序的程序加载结构和方法 Public/Granted day:2018-04-20
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