Invention Grant
- Patent Title: 高精度温度传感器及精度调节方法
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Application No.: CN201711202272.XApplication Date: 2017-11-27
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Publication No.: CN107990992BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 陈卢 , 张驰
- Applicant: 电子科技大学 , 重庆纳尔利科技有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市建设北路二段4号
- Assignee: 电子科技大学,重庆纳尔利科技有限公司
- Current Assignee: 电子科技大学,重庆纳尔利科技有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市建设北路二段4号
- Agency: 重庆上义众和专利代理事务所
- Agent 孙人鹏
- Main IPC: G01K7/01
- IPC: G01K7/01

Abstract:
一种高精度温度传感器,包括第一MOS管201、MOS管组202、第二MOS管203、第三MOS管204、第一双极晶体管205和第二双极晶体管206、运算放大器208、补偿电路207和ADC109,MOS管组202包括n个串联的MOS管组成,MOS管组202内的MOS管参数与第一MOS管201的参数相同;第一MOS管201的漏级与第三MOS管204的源级相连,第三MOS管204的漏级与第一双极晶体管205的发射极相连,第一双极晶体管205集电极接地。通过增加额外的一阶补偿电路,减弱由于基准电压非理想导致的误差,进而实现更高精度的温度传感器:同时提出如何调整基准使温度传感器的精度更高。
Public/Granted literature
- CN107990992A 高精度温度传感器及精度调节方法 Public/Granted day:2018-05-04
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