Invention Publication
- Patent Title: 带隙基准源的启动电路
- Patent Title (English): Starting circuit of band gap reference source
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Application No.: CN201810072771.XApplication Date: 2018-01-25
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Publication No.: CN107992144APublication Date: 2018-05-04
- Inventor: 周宁
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: G05F1/56
- IPC: G05F1/56

Abstract:
本发明公开了一种带隙基准源的启动电路,由第二NMOS晶体管~第四NMOS晶体管、一第七电阻、第一反相器~第三反相器、一传输门组成。本发明能够加速启动,减小启动时间。
Public/Granted literature
- CN107992144B 带隙基准源的启动电路 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类: