Invention Grant
- Patent Title: 硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料
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Application No.: CN201711295909.4Application Date: 2017-12-08
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Publication No.: CN108002445BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 张礼杰 , 刘曼曼 , 梁洁园 , 李肖肖 , 董幼青 , 邹超 , 杨云 , 黄少铭
- Applicant: 温州大学
- Applicant Address: 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
- Assignee: 温州大学
- Current Assignee: 温州大学
- Current Assignee Address: 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
- Agency: 上海精晟知识产权代理有限公司
- Agent 周丽娟
- Main IPC: C01G47/00
- IPC: C01G47/00

Abstract:
本发明公开了硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料。采用常压化学气相沉积法,以硫粉为硫源,以三氧化铼为铼源,在惰性气体保护下以及水辅助前提下,在云母片基底上生长二维单层二硫化铼;进一步,通过二次生长的方法,在长有二维单层二硫化铼的云母片基底上再次沉积硫化镉颗粒,得到在硫化铼表面生长有硫化镉颗粒的CdS/ReS2复合材料。本发明工艺简单、成本低、快速、高效可控,制备得到高质量单层硫化铼,硫化镉沉积在二维材料硫化铼上得到的CdS/ReS2复合材料更具有优异的光电性能,应用在光电器件上具有很高的响应率。
Public/Granted literature
- CN108002445A 硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料 Public/Granted day:2018-05-08
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IPC分类: